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与FRAM对比,MRAM的优势在哪儿?

新型存储之MRAM资讯

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Issuing time:2023-12-25 10:25Author:glochip.comSource:www.globalizex.com/news/Link:https://www.glochip.com/news/
文章附图

STT-MRAM已成为最受关注的新一代存储半导体技术之一。该产品使用了可通过Spin-Torque传递转换的两种稳定的磁化状态(Magnetic State),使处理速度非常快,耐久性也非常出色。

MRAM利用磁性来维持数据,因此即使不提供额外的电力,数据也能维持,电力消耗较少,器件的尺寸也非常小,因此可以制造出比现在更高密度的半导体。另外,由于只改变物质磁性的方向,半导体的耐久性好,储存和读取数据的速度也很快。

相比FRAM铁电,MRAM性能更加强劲,无论是PPI和SPI接口,读写速度更快可以做到35ns,支持无限次读写,超宽的耐温范围-40 - 150度,可实现超过20年的数据记录。

FRAM预充电期间如发生系统断电,则数据将被损坏,而STT-MRAM不会出现这种问题。在容量密度方面FRAM容量相对较小,可扩展性受限,而STT-MRAM支持 1Mb~1Gb。其可伸缩性好而得到很好的应用。在工艺技术方面,FRAM需要3D结构才能达到65nm工艺,而STT-MRAM 可达到28nm,以及将来的12nm制程工艺。以实现更少的发热和更好的能耗比,以及成本上的减少。




    Netsol品牌是三星投资的旗下企业,MRAM产品采用三星28纳米制程,三星技术基础上进行应用端的研发设计。MRAM产品可与 Everspin、Avalache、Infineon/Cypress、Fujitsu、RENESAS品牌系列兼容替代, 品质与价格优势赢得客户青睐。Netsol致力于开发和销售高质量、高可靠性的工业级存储产品。

产品型号

Package

Speed

8 WSON

108MHz

8 SOP

108MHz

8 WSON

108MHz

8 SOP

108MHz

8 WSON

108MHz

8 SOP

108MHz

8 WSON

108MHz

8 SOP

108MHz

8 WSON

108MHz

8 SOP

108MHz

8 WSON

108MHz

8 SOP

108MHz

8 WSON

108MHz

8 SOP

108MHz

8 WSON

108MHz

8 SOP

108MHz

8 WSON

108MHz

8 SOP

108MHz

8 WSON

108MHz

8 SOP

108MHz

<span font-size:16px;"="">S3A1604R0M-AI1A



# Parallel STT-MRAM










Density

Org

VCC

Package

Temp

Speed

Part Number

1M

x16

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R1016V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R1016V1M-XI70

x8

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R1008V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R1008V1M-XI70

2M

x16

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R2016V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R2016V1M-XI70

x8

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R2008V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R2008V1M-XI70

4M

x16

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R4016V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R4016V1M-XI70

x8

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R4008V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R4008V1M-XI70

8M

x16

3.3

54 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R8016V1M-PI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R8016V1M-XI70

x8

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R8008V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R8008V1M-XI70

16M

x16

3.3

54 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R1616V1M-PI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R1616V1M-XI70

x8

3.3

44 TSOP-II

-40~85C

70ns

S3R1608V1M-UI70

48 FBGA

-40~85C

70ns

S3R1608V1M-XI70

▌应用领域


物联网:智能电表/水表/燃气表/可穿戴自动售卖机/摄像头/硬盘录像机

医疗:呼吸机/血液透析机/CT扫描仪/助听器/健康监测设备/

工控设备:工业PC/PLC/运动控制/无人机/网络服务器/数据采集器/企业SSD/电梯/机器人/电机编码器

汽车电子:电池管理系统(BMS)、智能安全气囊/自动驾驶辅助系统(ADAS)/导航和信息娱乐系统/发动机控制单元(ECU)/事件数据记录器(EDR)/动力总成系统


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